ผงเบต้า SiC บริสุทธิ์สูง 4N 5N ผงซิลิคอนคาร์ไบด์ 2μm 5μm 10μm
ผงซิลิคอนคาร์ไบด์เบต้าบริสุทธิ์สูง 4N 5N ขนาดอนุภาค 2μm 5μm 10μm คือซิลิคอนคาร์ไบด์เฟสเบต้าที่มีความบริสุทธิ์ 5N หรือสูงกว่า ซิลิคอนคาร์ไบด์ลูกบาศก์เฟสเบต้ามีโครงสร้างผลึกแบบลูกบาศก์ 3C และรูปร่างผลึกที่เป็นเอกลักษณ์ทำให้มีความแข็งใกล้เคียงกับเพชร โดยมีความแข็งตามมาตราโมห์สอยู่ที่ 9.5-9.75 ผงซิลิคอนคาร์ไบด์เบต้าบริสุทธิ์สูงผลิตขึ้นโดยใช้วิธีการเทอร์โมเซตติงที่อุณหภูมิสูงและการตกตะกอนไอสารเคมี (CVD) ผลิตภัณฑ์มีคุณสมบัติเด่นคือมีความบริสุทธิ์สูง มีปริมาณเฟสเบต้าสูง ขนาดอนุภาคที่ควบคุมได้ มีกิจกรรมการเผาผนึกที่ดีเยี่ยม และกระจายตัวได้ดี ในขณะเดียวกัน ซิลิคอนคาร์ไบด์ลูกบาศก์ยังมีคุณสมบัติทางกายภาพและเคมีที่ดีเยี่ยม เช่น การนำความร้อนสูง ความเร็วการเคลื่อนที่ของอิเล็กตรอนสูง ความคล่องตัวของอิเล็กตรอนสูง ทนต่อการกัดกร่อน และทนต่อการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิอย่างฉับพลันได้ดี จึงมีการใช้งานอย่างแพร่หลายในอุตสาหกรรมการบินและอวกาศ เซรามิกส์ระดับสูง แบตเตอรี่พลังงานใหม่ การบำบัดพื้นผิว และอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์
คุณลักษณะด้านประสิทธิภาพของผงเบต้า SiC บริสุทธิ์สูง 4N 5N ผงซิลิคอนคาร์ไบด์ 2μm 5μm 10μm:
- มีความบริสุทธิ์สูง โดยผลิตภัณฑ์มีความบริสุทธิ์ถึง 5N หรือสูงกว่า
- มีปริมาณเฟสลูกบาศก์สูงถึง 99% และอยู่ในรูปผลึกเบต้าเฟสบริสุทธิ์
- ลักษณะทางสัณฐานวิทยา: อนุภาคทรงกลมที่มีขนาดอนุภาคให้เลือกได้หลากหลาย
- ปริมาณออกซิเจนต่ำ น้อยกว่า 0.3%
- มีปฏิกิริยาการเผาผนึกที่ดีและกระจายตัวได้ง่าย
- มีคุณสมบัติทนต่ออุณหภูมิสูง ทนต่อการสึกหรอ ทนต่อการกัดกร่อน และทนต่อการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิอย่างฉับพลันได้ดีเยี่ยม
ดัชนีทางกายภาพของผงเบต้า SiC บริสุทธิ์สูง 4N 5N ผงซิลิคอนคาร์ไบด์ 2μm 5μm 10μm
| โครงสร้างผลึก | ลูกบาศก์ |
| เฟสผลึก | ข |
| ปริมาณเบต้า | ≥99% |
| จุดหลอมเหลว | 2700° |
| อุณหภูมิการสลายตัว | 2830°±40° |
| สัมประสิทธิ์การขยายตัวทางความร้อน | 2.5-7 x10 -6 /°C |
| การนำความร้อน | 0.255 วัตต์/ซม. เคลวิน |
| ความแข็งโมห์ส | 9.5-9.75 |
| ความแข็งวิคเกอร์ส (ความแข็งระดับจุลภาค) | 3300-3500 กก./มม.² |
| ความถ่วงจำเพาะ | 3.216 กรัม/ซม³ |
สเปค
| สเปค | ขนาด | ความบริสุทธิ์ของ SiC (%) | เปอร์เซ็นต์ β | รูปร่าง |
| 5N-βSiC-100nm | 100 นาโนเมตร | 5เอ็น | ≥99% | กึ่งทรงกลม |
| 5N-βSiC-300nm | 300 นาโนเมตร | 5เอ็น | ≥99% | กึ่งทรงกลม |
| 5N-βSiC-500nm | 500 นาโนเมตร | 5เอ็น | ≥99% | กึ่งทรงกลม |
| 5N-βSiC-2um | 2 ไมโครเมตร | 5เอ็น | ≥99% | กึ่งทรงกลม |
| 5N-βSiC-5um | 5 ไมโครเมตร | 5เอ็น | ≥99% | กึ่งทรงกลม |
| 5N-βSiC-10um | 10 ไมโครเมตร | 5เอ็น | ≥99% | กึ่งทรงกลม |
| 5N-βSiC-10um | 50 ไมโครเมตร | 5เอ็น | ≥99% | กึ่งทรงกลม |
| 7N-βSiC-G | 1-10 มม. | 7เอ็น | ≥99% | อนุภาค |
การประยุกต์ใช้ผงเบต้า SiC บริสุทธิ์สูง 4N 5N ผงซิลิคอนคาร์ไบด์ 2μm 5μm 10μm
- การบดละเอียด
- เซรามิกซิลิคอนคาร์ไบด์ความแม่นยำสูง
- แบตเตอรี่พลังงานใหม่
- เซมิคอนดักเตอร์
- สารเคลือบพิเศษ
- วัสดุที่ทนต่ออุณหภูมิสูง
- ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
